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BSZ018NE2LSIATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSZ018NE2LSIATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 12V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 6643 pcs

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