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BSZ028N04LSATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BSZ028N04LSATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id -
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 20V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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