Image is for reference only , details as Specifications

BSZ086P03NS3EGATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSZ086P03NS3EGATMA1
Descrição:	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V