A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

BSZ0904NSIATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSZ0904NSIATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	Schottky Diode (Body)
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1463pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V