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BSZ15DC02KDHXTMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	BSZ15DC02KDHXTMA1
Descrição:	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Fet tipo	N and P-Channel Complementary
Embalagem	Cut Tape (CT)
Fet recurso	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.5W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TSDSON-8-FL
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	5.1A, 3.2A