A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

BSZ16DN25NS3GATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	BSZ16DN25NS3GATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)	62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TSDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	250V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V