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BUZ31HXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: BUZ31HXKSA1
Descrição: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série SIPMOS®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 9A, 5V
Dissipação de energia (Max) 95W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-3
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 14.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V

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