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DF120R12W2H3B27BOMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: DF120R12W2H3B27BOMA1
Descrição: IGBT MODULE 800V 50A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Active
Potência - Máximo 180W
Configuração Three Phase Inverter
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 50A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.35nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 51 pcs

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