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DF23MR12W1M1B11BOMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: DF23MR12W1M1B11BOMA1
Descrição: MOSFET MODULE 1200V 25A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série CoolSiC™+
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tray
Fet recurso Silicon Carbide (SiC)
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 20mW
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 25A

Em estoque 57 pcs

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