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F475R07W2H3B51BPSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: F475R07W2H3B51BPSA1
Descrição: MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Active
Potência - Máximo 250W
Configuração Three Phase Inverter
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 37.5A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 75A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.7nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 650V

Em estoque 79 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$59.11 $57.93 $56.77
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