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FF200R12KT3EHOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: FF200R12KT3EHOSA1
Descrição: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Active
Potência - Máximo 1050W
Configuração 2 Independent
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 125°C
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 97 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$103.69 $101.62 $99.58
Mínimo: 1

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