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FF650R17IE4DPB2BOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: FF650R17IE4DPB2BOSA1
Descrição: IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Parte Status Active
Configuração 2 Independent
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 650A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1700V

Em estoque 85 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$599.95 $587.95 $576.19
Mínimo: 1

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