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FF6MR12W2M1B11BOMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| Descrição: | MOSFET MODULE 1200V 200A |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | CoolSiC™+ |
| Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
| Fet recurso | Silicon Carbide (SiC) |
| Parte Status | Active |
| Potência - Máximo | 20mW (Tc) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | Module |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Temperatura operacional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | AG-EASY2BM-2 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1200V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 800V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
Em estoque 15 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $304.56 | $298.47 | $292.50 |
Mínimo: 1
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