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FF6MR12W2M1B11BOMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	FF6MR12W2M1B11BOMA1
Descrição:	MOSFET MODULE 1200V 200A
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	CoolSiC™+
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Fet recurso	Silicon Carbide (SiC)
Parte Status	Active
Potência - Máximo	20mW (Tc)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / Caso	Module
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.63mOhm @ 200A, 15V
Pacote de dispositivos de fornecedores	AG-EASY2BM-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	496nC @ 15V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14700pF @ 800V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	200A (Tj)