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FF800R17KF6CB2NOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: FF800R17KF6CB2NOSA1
Descrição: IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT -
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 6250W
Configuração 2 Independent
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 125°C
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 800A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 1.5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1700V

Em estoque 71 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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