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FZ1800R12HE4B9HOSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Modules
Folha de dados: FZ1800R12HE4B9HOSA2
Descrição: MODULE IGBT IHMB190-2
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Série -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Parte Status Active
Potência - Máximo 11000W
Configuração Single Switch
Tipo de montagem Chassis Mount
NTC Thermistor No
Pacote / Caso Module
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C
Pacote de dispositivos de fornecedores Module
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 2735A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Atual - Corte de colecionador (Max) 5mA
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 82 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$853.85 $836.77 $820.04
Mínimo: 1

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