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IAUS165N08S5N029ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IAUS165N08S5N029ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerSMD, Gull Wing
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)	167W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-HSOG-8-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	165A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V