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IGLD60R070D1AUMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IGLD60R070D1AUMA1
Descrição:	IC GAN FET 600V 60A 8SON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolGaN™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	-10V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-LDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipação de energia (Max)	114W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-LSON-8-1
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-