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IGLD60R070D1AUMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IGLD60R070D1AUMA1
Descrição: IC GAN FET 600V 60A 8SON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolGaN™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) -10V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-LDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Dissipação de energia (Max) 114W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-LSON-8-1
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -

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