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IGT60R190D1SATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IGT60R190D1SATMA1
Descrição:	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolGaN™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	-10V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipação de energia (Max)	55.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-HSOF-8-3
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-