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IKD06N60RAATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: IKD06N60RAATMA2
Descrição: IGBT 600V 12A 100W TO252-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série TrenchStop®
Tipo IGBT Trench
Embalagem Tape & Reel (TR)
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 48nC
Parte Status Not For New Designs
Potência - Máximo 100W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Número da parte base *KD06N60
Comutação de energia -
Td (on/off) @ 25°C 12ns/127ns
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Tempo de recuperação reverso (trr) 68ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 12A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 18A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 70 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.74 $0.73 $0.71
Mínimo: 1

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