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IKD10N60RFATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: IKD10N60RFATMA1
Descrição: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série TrenchStop®
Tipo IGBT Trench Field Stop
Embalagem Digi-Reel®
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 64nC
Parte Status Active
Potência - Máximo 150W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condição de teste 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Número da parte base *KD10N60
Comutação de energia 190µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/168ns
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A
Tempo de recuperação reverso (trr) 72ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 20A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 30A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 600V

Em estoque 2053 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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