IMW120R220M1HXKSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IMW120R220M1HXKSA1 |
Descrição: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolSiC™ |
Fet tipo | N-Channel |
Vgs (Max) Vgs (Max) | +23V, -7V |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-247-3 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1.6mA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 4A, 18V |
Dissipação de energia (Max) | 75W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO247-3-41 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 18V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 1.2kV |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 289pF @ 800V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Em estoque 98 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$10.74 | $10.53 | $10.31 |
Mínimo: 1