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IMW120R220M1HXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IMW120R220M1HXKSA1
Descrição: COOLSIC MOSFETS 1200V
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolSiC™
Fet tipo N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max) +23V, -7V
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.6mA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 286mOhm @ 4A, 18V
Dissipação de energia (Max) 75W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 18V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 1.2kV
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 289pF @ 800V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V

Em estoque 98 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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