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IMW120R350M1HXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IMW120R350M1HXKSA1
Descrição:	COOLSIC MOSFETS 1200V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolSiC™
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	+23V, -7V
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1mA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	455mOhm @ 2A, 18V
Dissipação de energia (Max)	60W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3nC @ 18V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	1.2kV
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	182pF @ 800V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V