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IPAN65R650CEXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPAN65R650CEXKSA1
Descrição: MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Super Junction
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 28W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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