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IPB019N06L3GATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB019N06L3GATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 196µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 250W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 1772 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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