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IPB025N10N3GE8187ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPB025N10N3GE8187ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Not For New Designs
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	180A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V