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IPB029N06N3GE8187ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPB029N06N3GE8187ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 118µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	188W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V