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IPB042N10N3GE8187ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	214W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	117nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8410pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V