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IPB072N15N3GE8187ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB072N15N3GE8187ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 150V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5470pF @ 75V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V

Em estoque 68 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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