Image is for reference only , details as Specifications

IPB100N06S205ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB100N06S205ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5110pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 82 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPB100N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S2H5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies
$0