IPB120N06S4H1ATMA2
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPB120N06S4H1ATMA2 |
Descrição: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 250W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO263-3-2 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 60V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21900pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 76 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.64 | $1.61 | $1.58 |
Mínimo: 1