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IPB160N04S4LH1ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB160N04S4LH1ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH TO263-7
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) +20V, -16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 110µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 167W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-7-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14950pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 54 pcs

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