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IPB60R160P6ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB60R160P6ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ P6
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Not For New Designs
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 750µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max) 176W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 23.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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