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IPB80N06S209ATMA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB80N06S209ATMA2
Descrição: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 125µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max) 190W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2360pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 73 pcs

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