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IPB80P04P4L04ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPB80P04P4L04ATMA1
Descrição: MOSFET P-CH TO263-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 94 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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