IPC020N10L3X1SA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPC020N10L3X1SA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | OptiMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Bulk |
Vgs (Max) Vgs (Max) | - |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | Die |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 12µA |
Temperatura operacional | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | - |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Sawn on foil |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 1A (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Em estoque 58 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.26 | $0.25 | $0.25 |
Mínimo: 1