Image is for reference only , details as Specifications

IPC100N04S51R7ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPC100N04S51R7ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 60µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	115W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8-34
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	83nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4810pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V