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IPC26N12NX1SA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPC26N12NX1SA1
Descrição: MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Bulk
Vgs (Max) Vgs (Max) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso Die
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 244µA
Temperatura operacional -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max) -
Pacote de dispositivos de fornecedores Sawn on foil
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 120V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 71 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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