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IPC302N08N3X1SA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | IPC302N08N3X1SA1 |
| Descrição: | MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | OptiMOS™ |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Bulk |
| Vgs (Max) Vgs (Max) | - |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Active |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
| Temperatura operacional | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max) | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Sawn on foil |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 80V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 1A (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 85 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.32 | $2.27 | $2.23 |
Mínimo: 1
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