Image is for reference only , details as Specifications

IPC60N04S4L06ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPC60N04S4L06ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 8TDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max) 63W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 70 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPC60N04S406ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPC100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R095C7ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
$0