A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IPD30N03S4L09ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPD30N03S4L09ATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 13µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1520pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V