IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPD60N10S4L12ATMA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH TO252-3 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 94W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO252-3-313 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3170pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 41995 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1