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IPD60N10S4L12ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPD60N10S4L12ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH TO252-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 46µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max) 94W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3-313
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3170pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 41995 pcs

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