IPD60R2K0C6ATMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPD60R2K0C6ATMA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 600V TO252 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolMOS™ C6 |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Not For New Designs |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 760mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 22.3W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-252-3 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 600V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 50 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.30 | $0.29 | $0.29 |
Mínimo: 1