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IPD60R450E6ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPD60R450E6ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ E6
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 74W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 85 pcs

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