Image is for reference only , details as Specifications

IPD640N06LGBTMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPD640N06LGBTMA1
Descrição: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 16µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max) 47W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 60V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 30V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 50 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPD144N06NGBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPD12N03LB G
Infineon Technologies
$0
IPD03N03LB G
Infineon Technologies
$0
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
$0
IPB80N06S3L-06
Infineon Technologies
$0