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IPD80R2K8CEATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPD80R2K8CEATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™ CE
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 120µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V