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IPD80R2K8CEATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPD80R2K8CEATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ CE
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 14000 pcs

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