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IPD80R4K5P7ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPD80R4K5P7ATMA1
Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Super Junction
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Dissipação de energia (Max) 13W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-252
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 500V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 68 pcs

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