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IPG16N10S461ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IPG16N10S461ATMA1
Descrição: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Standard
Parte Status Active
Potência - Máximo 29W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 9µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 16A

Em estoque 2934 pcs

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