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IPI041N12N3GAKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPI041N12N3GAKSA1
Descrição:	MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	300W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	211nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	120V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V