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IPI086N10N3GXKSA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPI086N10N3GXKSA1
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 75µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 73A, 10V
Dissipação de energia (Max)	125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3980pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V