Image is for reference only , details as Specifications

IPI139N08N3GHKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPI139N08N3GHKSA1
Descrição: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max) 79W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Em estoque 83 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
$0
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
$0
IPI100P03P3L-04
Infineon Technologies
$0
IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI070N08N3 G
Infineon Technologies
$0